【专题报导】【一周热点】美光与英特尔将中止NAND研发合作;英特尔10纳米处理器明年大量出货;上半年Server DRAM涨价延续

发表时间:2018-05-14 09:50

美光与英特尔将中止NAND研发合作

1月8日,美光与英特尔宣布将于完成第三代3D-NAND Flash(96层)开发之后,中止双方在NAND Flash方面的合作伙伴关系。

据悉,双方的合作会持续到2018年底至2019年初,而在此之后双方将不再针对3D-NAND Flash的研发展开合作。

美光首席技术官Ernie Maddock在摩根大通第16届年度科技论坛的Q&A环节表示,这一决定符合双方各自的发展路线和市场需求。

针对这一消息,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,由于96层3D-NAND直到2019年才逐渐成为市场主流,分析美光与英特尔拆分结盟的决议对双方产品规划与结构的影响要到2020年以后才会显现出来。

不过对于NAND Flash方面的采购协议,双方不会就此中止,因此,DRAMeXchange认为,中止NAND Flash研发合作短期内不会对双方产能的销售与分配产生强烈冲击。

至于双方合作中止之后的发展,未来英特尔将专注以大连厂产出供给服务器SSD之用,而美光则将继续拥有其新加坡两座3D-NAND Flash工厂产能,并搭配生产DRAM优势,具有弹性的策略发展及产品组合。

值得注意的是,尽管英特尔和美光在NAND Flash方面将中止合作,但双方将继续保持在3D XPoint开发方面的紧密合作,因此,未来英特尔和美光在NAND Flash领域仍有合作的可能。

DRAMeXchange同时认为,双方为增加各自的市场影响力,在独立开发NAND Flash技术后,也不排除寻求如中国厂商等其他厂商合作的可能性。

英特尔10纳米处理器明年大量出货

在制程节点的时程方面,尽管英特尔比台积电、三星、以及格罗方德等厂商稍逊一筹,但并不意味着其制程进度也落后。

英特尔曾表示,其10纳米制程较其他厂商的“10纳米”制程相比,依然领先了整整一代,不仅拥有全球最密集的电晶体和金属间距,还采用了超缩微特性,但制造成本会比台积电、三星等竞争对手的低30%。

英特尔甚至认为其14纳米制程技术生产的芯片可以与对手的10纳米制程技术生产的芯片相媲美。


最新消息是,英特尔用户端运算事业部高级副总裁Gregory Bryant在CES 2018展会上首次宣布了有关晶圆代工制程进展的最新消息,称英特尔10纳米制程处理器即将在2018年向客户出货,并且预计在2019年开始大规模量产出货。

但遗憾的是,英特尔此次并未透露其首款大量出货的处理器的具体内容。不过按照此前的消息,英特尔的10纳米处理器代号或为Cannon Lake,与上一代14纳米产品相比,处理器性能最多可提升25%,能耗则会降低45%。

上半年Server DRAM价格涨势延续

自去年第三季度开始,随着北美数据中心建案需求增加,使得整体服务器内存供货吃紧从而带动整体备货动能超出预期。

根据集邦咨询旗下半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查显示,2018年上半年,Server DRAM市场将延续涨价趋势。

目前,以Google、Amazon Web Service、Facebook与Microsoft Azure为主的北美网络服务商对新数据中心建案上均有强大需求,DRAMeXchange此前曾指出,服务器内存2018年的成长率将达到28.6%,居各大内存产品线之首。

在技术制程方面,2018年各大厂商都会将Server DRAM的制程转进至1X纳米。

其中三星将会在2018年持续提高在18纳米制程比重,预计今年将有超50%的产能来自该制程。

此外,SK海力士和美光也将分别通过提高18纳米和17纳米制程良率来重新分配产能,预计到2018年底1X纳米制程将占SK海力士和美光整体产能的30%。

DRAMeXchange预估,从今年第一季度开始,高带宽服务器模组将会逐渐成为市场主流,应用于服务器的高容量模组如32GB DDR4 2666Mhz RDIMM渗透率也将提升。


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